Фото: АР
Снижение энергопотребления и уменьшение размера сделают новую ОР идеальным компонентом для планшетов и смартфонов.
Американские и японские компании совместно занялись проектом, который позволит в коммерческом масштабе производить принципиально новую оперативную память для электронных устройств следующего поколения.
В альянс из 20 компаний вошли такие крупные игроки как Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi, и Micron Technology. Они хотят заменить динамическую память с произвольным доступом (DRAM), используемую сейчас, на так называемую MRAM (Магниторезистивную память с произвольным доступом).
Эта технология разрабатывается еще с девяностых годов прошлого века. MRAM основана на хранении информации при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Это позволяет добиться десятикратного ускорения работы при десятикратном увеличении объема хранимых данных в то же время резко снижая энергопотребление. Японское издание Nikkei отмечает, что, как обещают исследователи платы MRAM будут потреблять в три раза меньше электричества.
Главной задачей проекта станет разработка технологий для массового производства таких компонентов, завершить ее исследователи намерены к 2018 году.
Примечательно, что компания Everspin Technologies уже производит MRAM-платы. Сейчас она начинает реальные поставки и может завоевать лидерство на рынке, если ей удастся предложить такие компоненты в коммерческих объемах раньше, чем американско-японский консорциум добьется результатов.
Ранее сообщалось, что ученые предлагают существенно увеличить плотность хранения данных на жестких дисках за счет использования сплава железа и платины.