ГлавнаяНаукаВсе новости раздела
 

Создана самая быстрая в мире память

Корреспондент.net, 29 января 2003, 21:22
0
6

Компания Samsung Electronics анонсировала разработку самой быстрой в мире памяти DDR3 SRAM. 72-мегабайтные чипы обладают пропускной способностью в 1,5 Гбит в секунду и предназначаются для серверов и рабочих станций следующего поколения.

Новейшей разработкой компании в этой области были чипы памяти DDR II с временем доступа 0,45-0,50 наносекунд и напряжением питания в 1,8 В.

Сделанная по 90-нанометровому технологическому процессу память DDR3 потребляет всего лишь 1,2 В питания.

Ячейки размером менее одной миллионной квадратного метра были получены с помощью фтор-криптонового лазера.

Подробности технологии будут освещены на Международной конференции по твердотельным полупроводникам, которая пройдет с 9 по 13 февраля в Сан-Франциско, в штате Калифорния.

Кроме этого, на выставке специалисты Samsung Electronics представят двухгигабайтный модуль NAND Flash, сверхскоростной модуль памяти DDR II на 512 Мб и расскажут о применении 90-нанометрового технологического процесса и о разработке памяти SDRAM с низким энергопотреблением, передает "КомпьюЛента".

Серийное производство 72-мегабайтных модулей DDR3 начнется во второй половине 2003 года. На сегодняшний день существует только опытный образец объемом 32 Мб.

Если вы заметили ошибку, выделите необходимый текст и нажмите Ctrl+Enter, чтобы сообщить об этом редакции.
powered by lun.ua

ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ

Корреспондент.net в cоцсетях