Samsung выпустит Flash-памяь на 8 Гбит

Samsung Electronics объявила о создании чипа NAND Flash-памяти объемом в 8 гигабит.

При производстве микросхемы используется технологический процесс с 60-нанометровой нормой. На таком носителе может уместиться до 16 часов видео DVD-качества или 4000 MP3-файлов. Использовать же его предстоит в самых разных мобильных устройствах от плееров до КПК.

Массовое производство микрочипа начнется в конце 2005 года, до этого на рынок будет выпущена 4-гигабитный чип NAND Flash. В настоящее время корпорация Samsung уже является лидером этого рынка, но в его планах удвоение продаж.

Напомним, что в 2001 году чипы NAND Flash принесли корпорации 400 млн долларов, в 2003 году - уже 2,1 млрд. Теперь Samsung планирует контролировать 65% рынка.

Еще одним достижением корейского гиганта микроэлектроники стало созданием 2-гигабитного модуля памяти DDR2 SDRAM размеров в 80 нанометров, который должен существенно улучшить работу с видео и 3D-графикой.

Эксперты сходятся во мнении, что в конце 2005 году модули DDR2 станут лидерами DRAM-рынка. Примерно в это время Samsung и собирается выпустить в продажу свою новинку.

По материалам Lenta.Ru