Микросхемы станут еще компактнее

Сотрудники компании ASML придумали как с помощью улучшенного метода фотолитографии, который используют для производства микропроцессоров, выпускать еще более компактные чипы.

Способ, которым пользуются производители вот уже полвека, заключается в непрерывном увеличении числа транзисторов на кристаллах кремниевых пластин. Первым, кто оформил этот метод в виде теории, стал соучредитель Intel Гордон Мур в 1965 году.

Мур предполагал, что число транзисторов на кристалле микропроцессора будет удваиваться раз в два года. Как выяснилось, существует предел, превышать который не рекомендуется из-за физических ограничений: количество полупроводников из кремния нельзя увеличивать до бесконечности.

У ASML появилась идея как обойти это ограничение при помощи технологии фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV). Новаторский метод заключается в том, чтобы "печатать" на кремниевой пластине транзисторы, с помощью света с длиной волны около 13 нм. Для сравнения, современные DUV-установки предлагают 248 нм, т.е. почти в 20 раз больше.

ASML утверждает, что стала первопроходцем в создании степпер, который благодаря EUV-излучению сможет выпускать 10-нанометровые чипы. Кроме того, компания сообщает, что оборудование для массового производства таких микросхем может быть готово к использованию уже в 2015 году.

На данный момент существуют ограничения и для изобретенного ASML степпера. Известно, что EUV-лазер прототипа излучает свет мощностью 55 ватт, в то время как коммерческому степперу необходимо как минимум 250 ватт.