Крупнейшие компании, такие как IBM, AMD, Freescale и Toshiba совместно с колледжом науки и техники наномасштабов впервые создали модуль памяти SRAM с соблюдением 22-нанометрового технологического процесса.
Известно, что модуль памяти был изготовлен в Нью-Йоркской лаборатории компании IBM на базе 300-миллиметровых кремниевых подложек. Площадь ячейки, которая содержит около шести транзисторов, равна 0,1 микрометра.
Создан модуль памяти с использованием технологии high-k/metal gate, что говорит о том, что диоксид кремния в электроде затвора транзистора заменен сплавом на основе гафния, который является хорошим диэлектриком. Именно такой метод замены позволяет уменьшить размеры транзисторов.
Отметим, что модули памяти SRAM, использующиеся для временного хранения данных, являются частью процессора.
Напомним, что в апреле 2008 года альянс производителей чипов ( в который вошли компании IBM, Toshiba, AMD, Samsung, Chartered, Infineon и Freescale), возглавляемый компанией IBM, создал процессор, выполненный по 32-нанометровому технологическому процессу.