Компания Intel совместно с компанией STMicroelectionics разработали новую память PRAM, которая в 1000 раз превышает показатели флеш-памяти, отмечает The Inquirer.
Устройство под кодовым названием Alverstone обеспечивает намного большую скорость чтения и записи данных, чем обычная флеш-память при пониженном энергопотреблении и меньшей стоимости за мегабайт.
Разработчики новинки называют свою технологию самым значительным прорывом в отрасли за последние 40 лет. Работа над новой технологией длилась на протяжении 4 лет, а в 2004 году разработчики представили восьмимегабитные массивы памяти с размером элемента, не превышающим 180 нанометров.
В 2006 году Alverstone перешел на 90-нанометровый технологический процесс, а объем памяти устройства достиг 128 мегабит.